Hynix y AMD están desarrollando de forma conjunta, un nuevo concepto de ancho de banda de memoria, conocido también como HBM (High-Bandwidth Memory), que utilizara un diseño DRAM apilado, el cual se utilizara en un mismo paquete junto al procesador.
La primera generación de memoria Hynix, hace uso de memoria apilada verticalmente, utilizando cuatro chips DRAM, que se apilan en la parte superior, sobre una capa base, a través de un canal vertical de vías de silicio conectados entre sí, formando un total de 256 canales, con un ancho de banda por canal de hasta 1Gbps, creando un total de una asombrosa cifra de 128Gb/s, a diferencia del actual bando de ancha, como es el ejemplo de la GeForce GTX 750Ti, donde actualmente su bando de ancha en su interfaz de memoria, es de tan solo 86Gb/s.
Actualmente Hynix, utiliza 4 capas apiladas para crear una pila de 1Gb, a diferencia de la segunda generación de HBM, con la que se pretende duplicar el ancho de banda de la interfaz de pin, llegando a alcanzar velocidades de 256Gb/s, llegando a ser mayor, que el ancho de banda de interfaz de memoria de la actual GeForce GTX 980, siendo esta una tarjeta gráfica de alta gama.
La próxima generación alcanzara la capacidad de 1Gb, de memoria apilada verticalmente por cada dado, permitiendo pilas de hasta 4Gb cada una y gracias a este aumento, el aumento de la capacidad, se podrán conseguir capacidades máximas de hasta 8Gb, aunque doblando el número de troquel, no parece aumentar el ancho de banda total de la pila, tal vez debido a las limitaciones en la capa base.
Aunque por el momento no se han mencionado productos específicos que usaran HBM, gracias a unas diapositivas, se ha podido afirmar que hay más de 21 diseños en progreso de desarrollo, de los cuales, uno de ellos podría ser próxima generación de APU Carrizo de AMD, que se rumorea que han apilado, la memoria y procesador en un solo paquete.
