Durante la Cumbre Global de SSD celebrada el mes pasado, Samsung indicó que estaba trabajando en los nuevos chips 3D V-NAND con tres bits por celda y anunció que esta nueva generación de flash TLC vendría pronto pero no proporciono más datos al respecto.
Estos nuevos chips 3D vertical-NAND flash (V-NAND) serán capaces de alcanzar densidades de bits más altas por el apilamiento de múltiples capas de células en la parte superior de uno al otro por lo que evita los problemas de interferencias y el modelado que los fabricantes de chips han encontrado al encogimiento de la memoria flash tradicional.
El apilamiento de múltiples niveles no es la única arma de Samsung, otra de las novedades es el uso de memorias flash TLC con la que se llegaran a alcanzar densidades mucho más altas en un solo plano por abarrotar tres bits en cada celda contando con uno más a comparación con las habituales memorias flash multinivel MLC.
Samsung ha decidido introducir sus nuevos chips 3D V-NAND y memoria flash de tipo TLC en su nuevo SSD 850 EVO el cual debutara por ser el primer SSD del mundo que contara con esta tecnología y con el que pretende ofrecer mayor capacidad a un menor precio.
Este lanzamiento está creando y siendo el centro de controversia por el rendimiento y fiabilidad del flash TLC, dado que todavía Samsung no ha revelado datos específicos sobre el 850 EVO pero al parecer será mejor en comparación con el actual 840 EVO en esos dos puntos.
Por el momento no se conocen más datos sobre el Samsung 850 EVO y habrá que esperar a que sean publicados.
