G.SKILL, uno de los principales fabricantes de memorias RAM actualmente ha sido el primero en conseguir pasar con éxito el proceso de testeos de Intel con una memoria DDR4 SO-DIMM que cuenta con 3200 MHZ, siendo el kit de memoria DDR4 SO-DIMM más rápida que ha conseguido el pasar este test.
Este test lo ha realizado el CMTL (Laboratorio de testeo de memorias de ordenadores) en un NUC de Intel, este siendo en concreto el Intel NUC Skull Canyon NUC6i7KYK.
Por lo visto, G.SKILL ha estado trabajando en conjunto a Intel para traer al mercado los kits de memoria RAM DDR4 SO-DIMM más rápidas ya que G.SKILL tiene como meta como hemos comentado anteriormente el traer a todos los sistemas disponibles los kit de memorias más rápidas posibles, tanto para PC’s de sobremesa como equipo portátiles.
Los resultados de este test realizado por el CMTL están publicados en la propia página web del CMTL en el apartado de test de memorias aprobados para Intel NUC.
Habiendo hablado ya sobre el logro, pasemos a comentar el kit de memorias en cuestión, se trata de un kit de 16 GB (2×8 GB) funcionando a 3200 MHz con un voltaje de 1.2V. Adjuntamos también los datos completos del kit utilizado:
Kit: F4-3200C16D-32G SR (16GBx2)
ID del módulo: GSL029
MB: 16GB
Configuración: 2048M x 64
DRAM: Samsung
Partida DRAM #: K4A8G085WB-BCPB
Partida PCB: KOD410SRCE1V051
Cantidad de capas de la PCB: 10
Información del módulo: Unbuffered 1.2V, Non-ECC, 3200 MHz, DDR4 SO-DIMM.
Latencia CAS: 18
Tipo de montaje: JEDEC Estándar.
Perfil bajo: 30MM LP.
La duración del testeo tuvo una duración de 48h, teniendo fecha de inicio el 15/08/2016 y fecha de finalización el 17/08/2016. El test en cuestión lo conformaban distintas pruebas realizadas a una temperatura de 55ºC y con un voltaje estándar, entre estos test tendríamos: carga mínima, carga máxima, ciclos de energía y temperatura. Aquí el TEST al completo.
