En el sector de las memorias NAND hay cuatro gigantes, Samsung fue el primero en tomar la iniciativa al producir sus memorias 3D V-NAND, seguido por Intel y Micron. También se prevé que SK Hynix saque sus memorias 3D para este año, y ahora también tenemos a Toshiba y SanDisk con su versión de las 3D NAND, las BiCS 3D. El equipo de producción de las BiCS 3D empezaron la fase de prueba de estas memorias en este segundo semestre del año y se prevé que llegarán para el año que viene.
Aunque todos usan memorias apliladas en 3D, no todas utilizan la misma tecnología, las que Toshiba y SanDisk han desarrollado conjuntamente se llaman BiCS 3D NAND (Bit Cost Scaling), y han logrado apilar 48 capas, con una capacidad básica de 128GB, mientras que la primera generación V-NAND de Samsung con 24 capas y las 3D NAND de Intel y Micron con 32 capas conseguían una capacidad de 256GB, y con las TLC se consigue hasta 384GB. Veremos donde estará la ventaja de conseguir apilar 48 capas cuando salgan al mercado. Además de apilar 48 capas en los núcleos, la fabricación en 15nm de las memorias BiCS 3D NAND, disponen a estas memorias de núcleos más pequeños.
Toshiba anunció el pasado año la construcción de 2 fábricas en Japón con procesos de fabricación en 15nm, después de un año en construcción se han puesto a instalar el equipo para producir sus memorias flash 3D NAND, se espera que la producción comience a finales de este año y a principios de 2016 tenerlas listas para su lanzamiento oficial.
Sin duda el sector de memorias está avanzando a pasos agigantados, entre las 3D V-NAND con las que nos sorprendió Samsung, y las futuras BiCS 3D NAND y las crosspoint, sin duda vamos a tener productos de alto rendimiento en el mercado de consumo, a la espera de ver estos productos finales entre nuestras manos.
