En el día de hoy, Samsung a anunciado que ha comenzado la producción en masa de las primeras memorias flash tridimensionales (3D) Vertical NAND (V-NAND) a 256-Gigabit de 48 capas de células de niveles múltiples (MLC) de 3 bits para el su uso en discos duros de estado sólido (SSD). Sobre estas memorias, Young-Hyun Jun, [...]
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