El mundo de la tecnología estuvo emocionado cuando Intel y Micron revelaron que habían iniciado la producción de un nuevo tipo de memoria no volátil que resulta ser muchas veces más rápido y más densa que la ya popular y extendida NAND. La memoria 3D Xpoint fue posteriormente lanzada y mostrada en el IDF 2015, donde un nuevo disco llamado “Optane”, utilizando estas memorias, derrotó a un rival de la actual generación, proporcionando entre 5 y 7 veces el rendimiento en IOPS.
Mientras que los primeros dispositivos que emplean memorias 3D Xpoint están aún por llegar al mercado, habrá que esperar hasta 2016 por lo menos, hay que recordar que el mundo de la tecnología nunca duerme, y en una sesión en el IDF durante la pasada semana se supo que Micron Technology está desarrollando una segunda generación de memorias 3D XPoint, su memoria flash NAND 3D de segunda generación, y una tecnología de memoria totalmente nueva con el nombre en clave de ‘New Memory B Gen 1’.
Teniendo en cuenta los logros presentes por la primera generación de memorias 3D XPoint, se cree que Micron e Intel podrían estar mirando de aumentar más aun la capacidad en vez de impulsar más aun la velocidad y fiabilidad, como hicieron con esta primera generación de 3D XPoint. Con capacidades mayores les sería más fácil difundir dicha tecnología y hacerla más rentable para los desarrolladores.
A más largo plazo, se dice que ya se proponen mejorar el rendimiento y reducir la enorme brecha de latencia entre la memoria no volátil y el rendimiento de DRAM, sin duda un arduo trabajo intentar reducir tanto la latencia, pues ahora mismo la DRAM tiene un precio demasiado elevado por gigabyte, comparada con otro tipo de memorias de almacenamiento. Una generación más tarde, ya se centrarían en el rendimiento, intentando ofrecer velocidades cercanas a la latencia de la DRAM.
Intel y Micron introducirá la segunda generación de memorias 3D XPoint en 2016 para integrarla en productos al siguiente año. Probablemente la “ New Memory B Gen 1” llegaría al mercado en 2018.
