A principios de mes hablábamos de como TSMC, una empresa de semiconductores, empezaba a dar detalles sobre sus planes para desarrollar los 5nm. Hoy, Samsung anunció su nueva hoja de ruta, hablando de cómo van a usar la siguiente generación de estructura de transistores para hacer los 3nm, y ajustando sus procesos de desarrollo para mostrar durante la segunda mitad de este año el proceso EUF de 7nm. Al igual que quieren anunciar por primera la existencia, de cara a futuro, del proceso GAAE/GAAP de 3nm, usando la siguiente generación de estructura de transistores.
Actualización en el roadmap de Samsung
7nm LPP, Low Power Plus: Se espera que este nodo sea el primero en usar tecnología de semiconductores de Samsung que haga uso del proceso de litografía EUV y que entre en producción durante la segunda mitad de este año. Estando ya el núcleo IP en desarrollo y se espera que pueda el desarrollo pueda estar completo para la mitad de 2019.
5nm LPE, Low Power Early: Una mejora del proceso LPP que usarán en los 7nm, el proceso LPE de 5nm traerá sobretodo una mayor densidad y una mayor potencia con mejor eficiencia.
4nm LPE/LPP: Será el refinamiento del proceso FinFet y que usarán por última vez en estos 4nm. Como última generación en usar FinFET, los 4nm serán unidades aún más pequeñas gracias a lo que se aprenderá de los 5nm. Se espera un alto rendimiento en comparación con los 5nm al igual que una producción en masa más rápida.
3nm GAAE/GAAP, Gate-All-Arround Early/Plus: Este nuevo proceso estará basado en una nueva arquitectura. Para superar las limitaciones físicas del escalado del proceso FinFET, Samsung ha desarrollado la tecnología GAA para crear MBCFET, Multibridge-channel MOSFET, haciendo uso de nanochips. Se espera que el nodo de 3nm mejore de manera muy significativa con respecto a los anteriores.
Samsung ya publicó un roadmap el año pasado, pero de un año para otro han realizado varios cambios en estos, como por ejemplo la desaparición de los procesos de 8nm y 6nm. No se sabe con certeza si Samsung ha decidido no mencionar estos nodos en su nuevo roadmap o si los ha decidido omitir por completo y empezar directamente con los 7nm.
Es muy posible que Samsung decida omitir estos nodos, sobre todo si quiere mantener la competencia con TSMC en el desarrollo de los 7nm, nodo en el que, como ya sabemos, TSMC ya está en fase de producción de volumen y que se espera que por ejemplo haga uso de esos para el año que viene con sus procesadores Zen 2. Mientras que Intel está un poco más lejos enfocando a corto plazo la producción de procesadores de 10nm.
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