El proceso de un nuevo estándar tecnológico puede tardar mucho tiempo en ser desarrollado, por poner un ejemplo, el trabajo sobre la memoria DDR4 se inició en 2005, un par de años antes de la comercialización de la memoria DDR3, por lo que no viene como una gran sorpresa que el trabajo en memoria de alto [...]
Leer masDurante esta semana en San Francisco, California, G.SKILL ha mostrado dos kits de memoria DDR4 de 2x4GB a 4266mhz y 4133mhz en el IDF 2015, pertenecientes a la serie TridentZ. “Estamos realmente emocionados de mostrar tal velocidad de memoria en estos sistemas de demostración en vivo, ya que los +4000MHz eran, tradicionalmente, sólo alcanzables bajo [...]
Leer masEn el día de hoy, Samsung a anunciado que ha comenzado la producción en masa de las primeras memorias flash tridimensionales (3D) Vertical NAND (V-NAND) a 256-Gigabit de 48 capas de células de niveles múltiples (MLC) de 3 bits para el su uso en discos duros de estado sólido (SSD). Sobre estas memorias, Young-Hyun Jun, [...]
Leer masEn el día de hoy, G.Skill nos presenta sus dos nuevas series de memorias DDR4 diseñadas para la sexta generación de procesadores Intel Core y las placas base Z170, Trident Z y Ripjaws V con unos kits de hasta 4000MHz. G.Skill, uno de los mayores fabricantes de memoria RAM de alto rendimiento, SSDs, fuentes de [...]
Leer masIntel ha unido fuerzas con Micron para crear la próxima generación de memorias y durante el evento de prensa de ayer anunciaron esto al mundo. Por lo mostrado durante el evento todo indica que será un verdadero cambio generacional tan grande como pudo ser cuando el SSD Intel 750 con memorias NAND pasó de SATA [...]
Leer masSamsung ha anunciado que ya ha comenzado la producción en masa de la primera célula multinivel de 3 bits (MLC) tridimensional (3D) de memoria flash NAND vertical (V-NAND), que hará uso en las nuevas unidades de discos de estado sólido (SSD). Con la incorporación de una nueva línea de SSD de alta densidad, se espera [...]
Leer masHynix y AMD están desarrollando de forma conjunta, un nuevo concepto de ancho de banda de memoria, conocido también como HBM (High-Bandwidth Memory), que utilizara un diseño DRAM apilado, el cual se utilizara en un mismo paquete junto al procesador. La primera generación de memoria Hynix, hace uso de memoria apilada verticalmente, utilizando cuatro chips [...]
Leer masADATA Technology, fabricante líder de módulos DRAM de alto rendimiento y productos NAND Flash, se complace en anunciar su línea completa de módulos de memoria DDR4 de alto rendimiento compatibles con los procesadores de la serie Haswell-EP de Intel®. Todos los módulos de memoria DDR4 de ADATA se expondrán en el Stand #379 en el [...]
Leer masLa memoria Vengeance LPX se ha diseñado para overclocking de alto rendimiento. El disipador de calor, fabricado en aluminio puro, permite una disipación térmica más rápida; la placa impresa de ocho capas administra el calor y proporciona una capacidad superior para incrementar el overclocking. Cada circuito integrado está seleccionado individualmente para el máximo potencial de [...]
Leer masAyer informábamos de la disponibilidad en pre-venta de las nuevas G.Skill Ripjaws IV DDR4 en una tienda británica, dando los detalles de los modelos que se encontrarán disponibles y sus características. Hoy llega la confirmación por parte de G.Skill, mostrando ahora si todos los modelos que estarán disponibles. Al igual que informábamos ayer se confirma [...]
Leer masTras un mes cargado de noticias relacionadas con los nuevos Intel Haswell-E, DDR4 y nuevas placas con chipset X99, un aspecto que ha podido sorprender a muchos de nuestros lectores respecto a las memorias DDR4 es que ningún modelo presentado hasta el momento, superan los 3200 MHz, además de ser G.Skill el único fabricante en [...]
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